太道理工大学郝玉英以及郝阳团队：二维半导体MoSe2纳米片后退钙钛矿太阳能电池功能 – 质料牛 组成为了多孔PbI2薄膜

由于钙钛矿与电子传输层(ETL)衬底之间的太道团队退钙钛矿太阳热缩短(CTE)系数不立室，组成为了多孔PbI₂薄膜。理工料牛Pb⁰缺陷作为非辐射复合中间，大学导体导致PVK薄膜与衬底在退火历程中体积缩短差距而发生的郝玉郝阳残余拉伸应力，此外，英及低结晶度的维半多孔PbI₂薄膜可为FAI/MAI提供精采的散漫通道,有助于PbI₂残缺转化，同时飞腾残余应力，纳米能电能质可能制备更厚的片后钙钛矿(PVK)罗致体，导致晶粒随机聚积，池功作者发现MoSe₂纳米片异化的太道团队退钙钛矿太阳PVK薄膜具备更好的结晶性以及更大的晶粒尺寸，

 

文献链接

Pure 2H Phase MoSe₂Nanosheets Promote Formation of Porous PbI₂Film and 理工料牛Modulate Residual Stress for Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells, Journal of Materials Chemistry C，2023，大学导体这有利于PbI₂与FAI/MAI的郝玉郝阳反映，器件在未封装情景下吐露在N₂情景中测试的英及晃动性曲线标明了MoSe₂纳米片异化也可能后退器件的晃动性。最终导致PSCs的维半开路电压(Voc)以及填充因子(FF)亏缺 。在两步工艺的第一步中，服从表明MoSe₂纳米片的异化对于器件的载流子复合有清晰的抑制作用。削减电荷复合损失，同时，后退了开路电压；此外，同时，DOI: 10.1039/D3TC01076G.

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/tc/d3tc01076g/unauth

本文由作者供稿

作者最后妨碍了一系列电学表征，患上益于多孔PbI₂薄膜的组成，

 

布景介绍

近些年来，因此，因此可能取患上更高的Voc以及Jsc。易于组成垂直柱状颗粒，这些特色实用抑制了非辐射复合，飞腾器件的功能以及晃动性。

 

图文解读

图1 二维半导体MoSe₂纳米片形貌与功能的表征

图2 二维半导体MoSe₂纳米片异化制备碘化铅薄膜流程图及对于碘化铅薄膜的影响

图3 二维半导体MoSe₂纳米片异化对于钙钛矿薄膜形貌的影响及残余拉伸应力的释放

图4 二维半导体MoSe₂纳米片异化对于钙钛矿能级的影响

图5 二维半导体MoSe₂纳米片异化对于器件功能的影响

图6二维半导体MoSe₂纳米片异化先后钙钛矿太阳能电池种种电学以及晃动性表征

小结

作者运用SEM，运用EDS，基于历程可控且可一再，GIXRD及UPS等测试证实扩散在PVK薄膜底部的MoSe₂纳米片可能在ETL以及PVK薄膜之间起到“滑腻剂”的熏染，增长PbI₂残缺转化，释放残余拉伸应力，清晰飞腾界面拉伸应变。最终PVK薄膜的形态强烈依赖于最后组成的PbI₂薄膜的形态以及结晶。残留的PbI₂简略发生Pb⁰缺陷，更适宜规模化破费的两步法制备的n-i-p型钙钛矿太阳能电池(PSCs)实现为了25%以上的认证功能。可能实用地飞腾器件的陷阱态密度。削减二维MoSe₂ 纳米片的PSCs的平均光电转换功能（PCE）由尺度器件的19.40%后退到21.76%，此外，同时对于钙钛矿能级妨碍调控。拦阻电荷的传输以及提取，晶粒尺寸小，从而飞腾离子迁移的活化能，缺陷较多。为两步法实现高效晃动的PSCs提供了一种新的措施。个别消融在二甲基甲酰胺(DMF)溶液中的碘化铅(Pbl₂)倾向于在基底上组成层状致密膜，

 

下场简介

克日，可是，从而导致PbI₂残留。削减了PVK的晶粒尺寸以及结晶度。综上所述，MoSe₂纳米片异化改善了界面能级立室，抵达了后退Pbl₂转化率，改善PVK薄膜形貌以及结晶性，最优PCE抵达22.80%。调控PVK能级的下场。而且，拦阻电荷提取，此外，很大水平上消除了PbI₂残留，并实现更立室的界面能级部署。对于两步法制备PSCs的睁开至关紧张。本使命为公平妄想PbI₂以及PVK薄膜的宏不雅妄想提供了一种坚贞的技术，另一方面，钻研下场以题为“Pure 2H Phase MoSe₂Nanosheets Promote Formation of Porous PbI₂Film and Modulate Residual Stress for Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells”宣告在期刊Journal of Materials Chemistry C上。作者发现二维半导体MoSe₂纳米片起到了干扰了PbI₂的定向妨碍的熏染，太道理工大学郝阳以及郝玉英（配合通讯作者）等人报道了他们经由将纯相的二维半导体MoSe₂纳米片作为削减剂引入PbI₂先驱体溶液中，位于PVK层底部的MoSe₂纳米片可能释放PVK在热退火历程中组成的残余应力，在致密PbI₂薄膜上制备的PVK薄膜每一每一结晶品质差，PVK/传输层界面处更好的能级立室有利于电荷提取，PVK薄膜的形貌与结晶性也爆发了变更。MoSe₂纳米片异化的PSCs晃动性也患上到了提升。服从表明，AFM, XRD等表征本领揭示了MoSe₂纳米片若何影响PbI₂薄膜的形貌。对于PVK薄膜形貌以及结晶性妨碍改善，